Sciences & Technology

Des chercheurs du laboratoire national Brookhaven ont mesuré les performances d’un transistor en oxyde de germanium et titane utilisant une couche isolante high-K en dioxyde de hafnium, selon Phys.org.

Des chercheurs de l’École polytechnique fédérale de Lausanne (Suisse) ont créé des circuits d’une finesse de moins d’un nanomètre. Une taille que ne pourra jamais atteindre le silicium.